но 60 во wo по Uc2,B

Рис. 26.14. Пусковая характерисшка тиратрона типа ТХЗБ

управляющих импульсов 10 мкс, кривая 5 - к длитшьности импульсов 1 мкс.

Как видно из рис. 26.14, оттшрающее сеточное напряжение уменьшается с увеличением длительности входного сигнала, пока последняя не превысит приблизительно 10 мкс (времени нарастания анодного тока), и затем приближается к статическому значению.

Особенностью статической характертстики является то, что при низких сеточных напряжениях анодное напряжение возникновения основного разряда с уменьшением сеточного напряжения также уменьшается (загиб характеристики при низких Ссг)- Причршой этого является возникновение паразитного разряда между сеткой Сг и расположенным рядом с ней основным анодом. Вследствие этого участок анодно-сеточной характеристики левее штриховой вертикальной прямой считается нерабочим.

Рассмотрим рабочую честь пусковой характеристики. Падение напряжения в поддотовительном разряде между Су и К составляет около 80 В. По мере роста напряжешш на сетке Сг ее потенциал оказьшается по отношению к Ci все менее тормозящим. Начиная с 112 =60 В это приводит к росту числа электронов, проникающих в область С2 - анод из областа плазменного катода, расположенного около Ci. В результате напряжение возникновения основного разряда {4, в снижается.

Смещение импульсных характеристик по отношешто к статической вправо по мере уменьшения длительности управляющего импульса, как и для тиратронов с токовым управлением, объясняется необходимостью накопления определенного объемного заряда для искажения электрического поля анода.

Рассмотренные простейшие типы тиратронов тлеющего разряда в ос-

-Е о-CZ3-1 В В I-С=]-о + £

- Е о-

L о)

-0+£

Рис. 26.15. Варианты расположения сеток в индикаторных тиратронах:

а - управляющая сетка в плазменной области; б - управляющая сетка в бесплазменной области

новном применяются для преобразования электрических сигналов малой мощности и для работы в качестве ионных реле. Помимо них вьшускают более сложные многосеточные типы, позволяющие выполнять логические операции умножения или сложения. Однако в целом в связи с быстрым развитием полупроводниковой электроники область применения логических и релейных тиратронов тлеющего разряда все более сужается. В то же время непрерывно возрастает использование тиратронов в качестве индикаторов, ценным является их уникальное свойство преобразования маломощных электрических сигналов в излучение.

Используемый в индикаторных тиратронах электростатический способ управления имеет ряд преимуществ по сравнению с токовым:

подготовительный разряд резко уменьшает статистическое время запаздьшания возникновения основного разряда;

управление прохождением электронов из плазменного катода к аноду может осуществляться с помощью не одной, а нескольких сеток, благодаря чему расширяются функциональные возможности прибора. Однако к индикаторным тиратронам предъявляется еще одно требование - низкое управляющее напряжение.

Использовать обычную схему включения тиратрона с электростатическим управлением (см. рис. 26.10) для низковольтной индикации невозможно по двум причинам:

1) из-за наличия конденсатора управление осуществляется только импульсными сигналами, наложенными на постоянное напряжение смещения, в то время как цифровые схемы, являющиеся источниками отображаемой информации, формируют не импульсы, а низковольтные уровни напряжений;

2) чтобы преодолеть нестабильность потенциала плазменного катода, обусловленную непостоянством напряжения поддержания разряда между сеткой С] и катодом, приходится использовать сигналы большой амплитуды. Практически минимальная амплитуда импульсов для управле-

0,Ч 0,8 1,2 1,6 i/c2,B

Рис. 26.16. Пусковая характеристика при расположении управляющей сетки в бесплазменной области

Рис. 26.17. Пусковая характеристика при расположении управляющих сеток в плазменной области

ния обычным тиратроном с электростатическим управлением составляет несколько десятков вольт, что существенно превышает сигналы большинства типов щ1фровых интегральных микросхем.

Для того чтобы преодолеть эти трудности, достаточно привязать потенциал плазменного катода к общей точке схемы. С этой целью сеттсу подготовительного разряда С„ (в схеме рис. 26.10 она обозначалась Ci) заземляют, а управляющую сетку Су (в схеме рис. 26.10 она обозначалась Са) помещают либо ближе к аноду (рис. 26.15, б), либо ближе к катоду (рис. 26.15, а). Первый вариант будем называть расположением сетки в бесплазменной области, второй - расположением сетки в плазменной области.

Поскольку потенциал плазменного катрда близок к потенциалу сетки подготовительного разряда Сп, а последняя соединена с общей точкой схемы, он оказьшается фиксированным по отношению к управляющей сетке. Кроме того, исчезает необходимость в подаче на управляющую сетку напряжения смещения.

Независимо от того, где располагается управляющая сетка, включение тиратрона происходит при росте плотности тока электронов, попадающих в область ускоряющего поля анода. Отрицательная управляющая сетка, расположенная в бесплазменной области, тормозит электроны. Однако поскольку электроны в плазме обладают значительными энергиями, то при не очень больших отрицательных потенциалах на сетке значительное число злектронов проникает в поле анода, в результате чего возникает основной разряд.

Соответствующая статическая сеточная характеристика тиратрона типа ТХ17А, расположенная в первом квадранте, показана на рис. 26.16*.

ряда.

Штриховка на рис. 26.16 и 26.17 характеризует область возникновения раз-