a) в)

Рис. 8.5. Приведение тетрода к эквивалентным триоду и диоду

Катодный ток тетрода зависит от напряжений анода, первой и второй сеток. Чтобы рассчитать ток катода, нужно заменить неравномерное распределение потенциала в плоскости первой сетки равномерным потенциалом анода эквивалентного диода, воздействующим на поле у катода так же, как воздействуют на это поле потенциалы всех электродов тетрода.

Действующее напряжение тетрода можно найти, если воспользоваться методом последовательного приведения к эквивалентному диоду. Совместное действие анода и экранирующей сетки заменяется действием анода эквивалентного триода, расположенного в области второй сетки тетрода (рис. 8.5, а, б). Но аналогии с (7.2) найдем напряжение анода эквивалентного триода

(8.1)

где D2 - проницаемость экранирующей сетки.

Далее эквивалентный триод сводят к эквивалентному диоду, как было показано в § 7.1. Действующее напряжение в тетроде (рис. 8.5, в) определяется из выражения

(8.2)

Подставляя в (8.2) значение напряжения анода эквивалентного триода (8.1), получаем

(8.3)

Произведение проницаемостей первой и второй сеток характеризует воздействие напряжения анода на поле у катода. Это произведение обычно много меньше единицы, поэтому третьим слагаемым в правой части (8.3) можно пренебречь.

Окончательно для большинства тетродов выражение для действующего напряжения будет иметь вид

Un=Uci+D,U2- (8-4)

По аналогии с тетродом можно получить выражение для действую-

щего напряжения в пентоде

С/„ = t/ci + £>, t/c2 + DD С/ез + DiDDUa, (8.5)

где - проницаемость третьей сетки.

Учитьшая, что проницаемость каждой сетки меньше единицы, можно пренебречь в (8.5) слагаемыми AAf/j.3 и AADgLa. Тогда (8.4) будет справедливо практически для любой многоэлектродной лампы. Основное влияние на катодный ток в многоэлектродных лампах оказьшают напряжения первой и второй сеток, поэтому для расчета катодного тока можно пользоваться упрощенным выражением закона степени трех вторых

/к = С t/„3/2 = G(t4, + D.U.yi (8.6)

Коэффициент G в (8.6) определяется в зависимости от конструкции системы электродов по (7.4) или (7.5), если считать параметры Псэфф. лгск и г с относящимися к первой сетке многоэлектродной лампы.

При отрицательном напряжении первой сетки катодный ток тетрода будет распределяться только между экранирующей сеткой и анодом. Токораспределение в тетроде аналогично распределению токов в триоде с положительной сеткой. Поэтому для расчета коэффициента токораспределения тетрода можно пользоваться формулами (7.8) - (7.15), учитьшая, что вместо сетки триода нужно иметь в виду вторую сетку тетрода.

Токораспределение в пентоде имеет более сложный характер, чем в триоде и тетроде, из-за наличия третьей сетки. Переход из режима возврата в режим прямого перехвата в пентодах происходит при более низких анодных напряжениях, как правило, составляющих 10-50% напряжения экранирующей сетки.

8.2. СТАТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

И ПАРАМЕТРЫ МНОГОЭЛЕКТРОДНЫХ ЛАМП

Из множества характеристик многоэлектродных ламп, предназначенных для усиления и генерирования сигшлов, наибольший интерес представляют три характеристики: 1) анодно-сеточная /д =/(t/ci) при постоянных t/g, J7g2 и С4з; 2) экранноч;еточная If.2 =/(40 при постоянных t/g, 1/2 и f/сз; 3) анодная /д =f{Ug) при постоянных Ui, 112 и С4з.

Анодно-сеточные и экранно-сеточные характеристики различных многоэлектродных ламп мало отличаются по виду, поэтому рассмот{жм ход характеристик одного типа ламп, например пентода. На рис. 8.6 приведены указанные характеристики при различных постоянных напряжениях экранирующей сетки и анода. Действующее напряжение

Рис. 8.6. Анодно<еточные характеристики пентода 6Ж32П

В многоэлектродных лампах очень слабо зависит от напряжений анода и третьей сетки, поэтому напряжение запирания катодного тока может быть найдено из {8.4) при условии f/д =0

с1,зап

т. е. напряжение первой сетки, при котором появляются токи анода и второй сетки, зависит только от напряжения второй сетки.

При изменении напряжения анода меняется глубина минимума потенциала между второй сеткой и анодом, что сказывается на значении коэффициента токораспределения. С ростом напряжения анода незначительно растет анодный ток и уменьшается ток второй сетки. Этим объясняется веерообразный ход характеристик.

Анодные характеристики тетрода 6Э12Н, лучевого тетрода 6ЖЗП и пентода 6Ж1П, предназначенных для усиления напряжения высокой частоты, приведены на рис. 8.7. На характеристиках любой иэ приведенных многоэлектродных ламп легко вьщелить области, соответствующие режиму возврата с резкой зависимостью анодного тока от анодного напряжения и режиму прямого перехвата - пологий участок характеристик. Характеристики тетрода с четко выраженным динатрон-ным эффектом переходят из одного режима в другой при напряжениях анода, приблизительно равных напряжениям экранирующей сетки, а характеристики лучевого тетрода и пентода - при более хшзких значениях анодного напряжения.

В лучевом тетроде минимум потенциала между второй сеткой и анодом образуется за счет отрицательного объемного заряда, поэтому электрическое поле в плоскости минимума более равномерное, чем в пентоде. Этим объясняется более крутой ход анодных характеристик лучевого тетрода на начальном участке и резкий переход в режим прямого перехвата по сравнению с пентодом.

Рабочие анодно-сеточные характеристики многоэлектродных ламп h ~ /(£и) при и2 = const, снимаемые при наличии сопротивления нагрузки в анодной цепи, когда напряжение анода не остается постоянным (см. § 7.3), мало отличаются от статических. Причиной этого является очень слабая зависимость в рабочей области, соответствующей режиму прямого перехвата, анодного тока от напряжения анода.