числу сотен вольт обратного повторяющегося напряжения диода и меньшего из повторяющегося обратного напряжения и повторяющегося в закрытом состоянии напряжения тиристора (табл. "2.3).

После обозначения класса прибора по напряжению через тире приводится условное буквенно-цифровое обозначение rpyrai по коммутационным (динамическим) параметрам прибора: времени обратного восстановления для диодов и скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии, времени выключения и времени включения для тиристоров. Условное обозначение коммутационных (динамических) параметров обязательно только для быстровосстанавливающихся диодов, быстровыключающихся, быстродействующих и быстровключающихся тиристоров. Тиристоры, не относягциеся к быстрым тиристорам, могут классифицироваться по скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии и времени выключения, что должно отражаться в их условном обозначении. Буквенно-цифровое условное обозначение групп по коммутационным параметрам приводится без интервалов в последовательности, соответствующей порядку изложения в настоящем параграфе.

Условные обозначения групп и соответствующие численные значения коммутационных параметров приведены в табл. 2.4.

Таблица 2.4. Соотношение между коммутационными параметрами СПП и их условным обозначением

Примечание. Условное обозначение группы составляется из букв первой колонки ; и цифр верхней строки таблицы, а числовое значение параметра, соответствующее условному обозначению группы, определяется числом на пересечении соответствующих колонок и строк таблицы.

обозиачсиием

в оговоренных случаях приборы, предназначенные для параллельной работы, после обозначения коммутационных параметров через тире обозначаются цифрой, соответствующей численному значению (до второго знака после запятой) импульсного прямого напряжения для диодов и импульсного напряжения в открытом состоянии для тиристоров, или двумя цифрами через тире, соответствующими диапазону разброса этих напряжений.

Завершением структуры условного обозначения приборов является условное обозначение климатического исполнения и категории размещения прибора в соответствии со стандартом на климатику и номер-технических условий или стандарта, по которым прибор выпускается.

В случае, если какой-либо коммутационный параметр прибора не нормируется, то прибор относится по этому параметру к группе 0. Если для прибора все группы коммутационных параметров соответствуют цифре О одновременно, то в условном обозначении ули не ставятся.

В оговоренных случаях церед условным обозначением вида прибора может проставляться цифра, условно обозначающая материал, на базе которого выполнена полупроводниковая структура прибора. Действующей документацией установлены следующие условные обозначения материалов: Г-германий, 2-кремний, 3-арсенид галлия, 4-карбид кремния.

Примеры условных обозначений приборов. Диод быстровос-станавливающийся, первой модификации, штыревой конструкции, с гибким выводом, со средним прямым током 200 А, повторяющимся импульсным обратным напряжением 1200 В, обратной полярности, с временем обратного восстановления 2,5 МКС, отобранный для параллельного соединения с разбросом прямого импульсного напряжения от 1,41 до 1,61 В, климатического исполнения УХЛ категория размещения 4.2, выпускаемый по ТУ 16 ...

ДЧ131-200Х-12-М4-1,41-1,61 УХЛ4.2 ТУ 16 ...

Тиристор быстродействующий, второй модификации, таблеточный, с диаметром таблетки, равным 58 мм, со средним током в открытом состоянии 400 А, повторяющимся импульсным напряжением в закрытом состоянии и обратном напряжении не менее 1600 В, критической скоростью нарастания напряжения в закрытом состоянии 200 В/мкс, временем выключения 32 мкс, временем включения 4 мкс, отобранный для параллельного соединения с разбросом импульсного напряжения в открытом состоянии от 1,75 В до -1,95 В, климатического исполнения Т, категории размещения 4, выпускаемый по ТУ 16 ...

ТБ243-400-16-Р2КЗНЧ-1,75-1,95 Т4 ТУ 16 ...

Эти же приборы в соответствии с техническими условиями, выпущенными до последних изменений стандарта, когда для

условного обозначения групп приборов по коммутационным параметрам применялось цифровое обозначение, условно обозначаются следуюгцим образом соответственно:

ДЧ131-200Х-12-4-1,41-1,61 УХЛ 4.2 ТУ 16 ...

ТБ243-400-16-441-1,75-1,95 Т4 ТУ 16 ...

2.6. ОСОБЕННОСТИ СИЛОВЫХ ДИОДОВ И ТИРИСТОРОВ КАК ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИХ ИЗДЕЛИЙ, КОМПЛЕКТУЮЩИХ СХЕМУ СИЛОВОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО УСТРОЙСТВА

Силовые диоды и тиристоры, работающие в схеме ПУ, представляют собой такие его элементы, которые способны переходить из непроводящего состояния, когда они практически не проводят ток при приложении к ним напряжения, в проводящее состояние, когда они проводят ток при достаточно малом падении напряжения на них.

Состояние силового диода в нормальных усло1виях определяется полярностью и значением приложенного к нему напряжения, а тиристора-еще и наличием необходимого по своей величине и качеству сигнала на электроде управления. Поскольку электрическое сопротивление полупроводниковых структур диодов и тиристоров зависит от их температуры, градиента электрического поля и наличия носителей заряда, то способность СПП переходить из одного состояния в другое и находиться в каждом из них требуемое время определяется сочетанием конкретных значений указанных выше параметров, что и определяет работоспособность диодов и тиристоров. Кроме того, их работоспособность зависит е1це и от физической целостности полупроводниковых структур, а следовательно, и от механических нагрузок, прикладываемых к конструкциям диодов и тиристоров, и возникающих в них механических напряжений.

Вообще работоспособность силовых диодов и тиристоров определенной конструкции, выполненных по определенной технологии, может быть достаточно четко определена значениями следующих параметров, характеризующих их состояние,- параметров состояния полупроводникового прибора:

температуры структуры;

градиента электрического поля;

механических напряжений, возникающих в полупроводниковой структуре и конструкции;

электрического и теплового сопротивлений соответствующих Контактов.

Все эти параметры состояния как силового диода, так а тиристора тесно связаны между собой, и каждый из них Зависит практически от всех видов воздействий на прибор