3?t. Определите амплитуду выходного сигнал й интегрирующей цепи (рис. 46) при подаче иа ее вход однопо-лярного прямоугольного импульса с амплитудой Е-

= 10 В и длительностью ш - и

4.вх=100 мкс. Параметры t--~L j-»1 ъых

цепи: Р = 56 кОм, С=0,02 мкФ. Сопротивление генератора входного сигнала Рг= <w = 120 Ом. Как изменится . Рис. 47

амплитуда выходного сигнала, если подключить нагрузку 7?п=5600 м? 372. Определите эквивалентную постоянную времени интегратора на операционном усилителе (рис. 47). Во

f: сколько, раз повышается точность операции интегрирования по сравнению с обычной интегрирующей РС-цепью с параметрами R=Ri=.l кОм, С=Сос=0,02 мкФ? В схеме используется операционный усилитель типа К153УД4 с коэффициентом усиления 2-КЯ..Сопротивление генератора входного сигнала Rr= 1 кОм.

Транзисторные ключи

373. Будет ли закрыт транзистор типа КТ312Б в схеме на рис. 48, если точку т заземлить (рис. 49, а)? Сопротивление резистора Рб=10. кОм. Считать, что транзистор открывается при пороговом напряжении на входе [/пор=0,6 В. Температура окружающей среды 20° С. Показать направление прохождения базового тока.

374. Будет ли находиться транзистор типа КТ316В в J режиме насыщения, если точка т будет соединена с ис-Д точником питания £к=12 В (рис.. 49, б)? Падением на-л пряжения на открытых переходах транзистора можно

пренебречь. Сопротивления резисторов Ro и Rk соответственно равны 10 и 1 кОм.

375. Определить минимальный ток базы, необходимый для насыщения транзистора в схеме рис. 48. Параметры схемы: Ек= 10 В, Rk=2 ком, л21э=20.

376., Можно ли использовать транзистор типа ГТ308А в схеме транзисторного ключа (см. рис. 48), если к= = 630 Ом, £к=-28 В?

377. На входе схемы (см. рис. 48) действует постоянное отпирающее напряжение £1 = 3 В. Выйдет ли из строя транзистор типа КТ306А в схеме рис. 48, если резистор Rk замкнуть накоротко? Параметры схемы Ек=

= 5 В, i?6=12 кОм. Падением напряжения на открытых переходах транзистора можно пренебречь.

378. Какой тип транзистора {р-п-р или п-р-п) следует использовать, если транзисторный ключ управляется од-нополярными отрицательными импульсами?

379., На вход схемы (см. рис. 48) поступает прямоугольный импульЬ С/вх, максимальное и минимальное зна-

Рис. 49

чения которого равны £1 = 2 В, £2=1 В. Определить амплитуду выходного импульса, если: а) У?б=10 кОм, б) /?б=100 кОм. Остальные параметры схемы £к=8В, Rk=2 кОм. Тип транзистора КТ312Б. Падение напряжения на насыщенном транзисторе С/кэн=0,2 В, на открытых переходах С/бэ««С/бн=0,6 В. Температура окружающей среды 20° С.

380. Как изменится амплитуда выходного напряжения в схеме насыщаемого транзисторного ключа (см. рис. 48) при повышении температуры окружающей среды? Принять С/„эн~ const.

381. Какая мощность расходуется в транзисторном ключе (см. рис. 48): а) в открытом; б) в закрытом состоянии. Напряжение питания 5 В, сопротивление резистора /?к= 1,2 кОм, падение напряжения на насыщенном транзисторе С/„эн=0,2 В. Обратный ток закрытого транзистора /кбо=10 мкА.

382. Выйдет ли из строя транзистор типа КТ316 в схеме транзисторного ключа (см. рис. 48), если параллельно резистору Rk=1 кОм подключить нагрузочный резистор /?и=560 Ом. Остальные параметры схемы: £«== = 18 В, амплитуда отпирающего тока базы /б=1 мА.

383. Резистор в базовой цепи транзистора зашунтиро-вали конденсатором (см. рис. 48). Как при этом изменится амплитуда базового тока при действии однополяр-

ного положительного прямоугольного импульса £г=2 В? Изменится ли: а) время фронта выходного импульса ключа, б) время рассасывания носителей заряда в базе транзистора? Сопротивления Rt=1 кОм, Рб=2 кОм. Падение напряжения на открытом эмиттерном переходе [/бд=0,8 В. Омическим сопротивлением базы транзистора Гб можно пренебречь.

384,- Почему транзистор в схеме ключа с нелинейной обратной связью (рис. 50) не входит в режим насыщения при подаче отпирающего сигнала с амплитудой, достаточной для насыщения транзистора в обычном ключе (см. рис. 48)? Считать диод в цепи обратной связи идеальным (гпр=0, Гобр->оо), а сопротивление Р==0.

385. Какую роль играет резистор R в схеме ключа с не- р линейной обратной связью? ™ . Определить сопротивление резистора R, если £к=8 В, Рк=860 Ом, Л21э=20. Падение напряжения на открытом диоде [/д=0,4 В.

386. На рис. 51 представлены ключевые схемы на комплементарных МДП-транзисторах (а) и с линейной нагрузкой в цепи стока МДП-транзистора (б). Какая схема является более быстродействующей? Почему? Какая схема имеет меньшее поттребление мощности? Почему?

387. Доказать, что транзистор VT1 закрыг, а VT2 - открыт (в схеме рис. 51, а) при нулевом ©начении входного сигнала. Пороговые напряжения Т1ра1Нзисторов f/nopi=6 В, f/nop2=-5 В. Напряжение питания 10 В.

388. На вход схемы рис. 51, с подается управляющее напряжение [/бх=9 В. Доказать, что при этом транзий-тор VT1 открыт, а транзистор VT2 закрыт. Пороговые на11ряженйя [/nopi=6 В, f/nop2=-5 В. Напряжение питания 10 В. При .каком напряжении питания нарушится работоспособность схемы (транзистор VT2 останется открытым при [/вх=9 В)?

389. На вход схемы рис. 51,6 одновременно с положительным управляющим импульсом 14 В поступает отрицательный сигнал помехи 6 В. Сработает ли схема, если, пороговое напряжение транзистора 7 В?