ОТВЕТЫ И РЕШЕНИЯ

1.. £д=5.00 В/см. 2. W=3,2-IQ-" Дж. 3. f=8-10-5 Н. 4.=1,2.107 м/с. 5. £ = 3636 В/м, щ,= 12,5 не, 1Г= = 2,9-10-17 Дж. 7. /г=0,17 мм/В. 8. t/=520 В. 9. :.= = 470 В, Uy = 348 В. 10. С ростом температуры сопротивление металлов возрастает, а у большинства полупроводников уменьшается. Увеличение сопротивления металлов объясняется тем, что с ростом температуры возрастает энергия атомов, образующих кристаллическую решетку в металлах. Рост тепловой энергии приводит к росту амплитуды колебания атомов в кристалле. Это в свою очередь увеличивает число столкновений подвижных носителей электрических зарядов в металле и в среднем приводит к снижению скорости носителей зарядов: с уменьшением скорости уменьшается проводимость, а значит, возрастает и сопротивление проводника. При низких температурах число свободных зарядов в полупроводнике невелико, поэтому велико их удельное сопротивление. С ростом температуры возрастает число подвижных дырок и электронов. Удельное сопротивление уменьшается. 16. Сдиф = 2 пФ. 23. 5=25 мА/В. 26. /,=-100 мкА, /2===300 мА. 27. =0,2 В. 32.

а) вых. mai = 2 В, вых.т1п~0 В, б) вых.max = 2,4 В, Бых.тах=1,2 В. 33. а) вых.тах«0,39 В, вых.т1п?« «0,8 мВ, б) вых.тах«2,4 в, вых.т1п= 1,195 В. 34. а) вых.тш = 25 мВ, б) вых.т1п=500 мВ. 38. /?бал = 388 Ом,

4 мА/ст14 мА, /вх=18 мА. 43. 50<С110 пФ. 48. а«1. 49./i2i8»100. 50./б=0,3 м А. 51./i2i3=25. 52. а ж -0,98. 54. а=0,95. 55. /i2i3=17, /б=1 мА. 56. /i21k=21. 57. /213= 19. 58. а) /?вх.постл:170 Ом, /?вх.пер»70 Ом, б) /?вх.11ост = 270 Ом, /?вх.пер«35 Ом. 64. 5 = 0,2 мА/В. 65. ,х=100. 67. /„=0,0015 А. 68. Пхр=0,5. 69. 2=22 В. 70. Можно. 71. Нельзя. 74. 2=20 В. 75. U2m=U2m= .= 1тПтр)/2= 10 В. 77. /т=0,1 А. 78. Для того чтобы найти амплитудное значение тока в цепи, нужно найти точку пересечения вольт-амперной характеристики диода с нагрузочной прямой, соответствующей амплитудному

значению напряжения на вторичной обмотке, равному 25 В: Нагрузочная прямая описывается уравнением U= =U2\sk-IRb- Для того чтобы ее провести, нужно по-строит) две точки, первая из которых соответствует режиму,когда цепь разомкнута, т. е. /=0, а t/=t/2max, вторая1точка определяется условием f7 = 0, т. е. /тах= - Uzmax/Rn- По УСЛОВИЯМ задачиг и=25 В, 1=0 (первая точка), t/=0, /mas=25/250=0,1 А. Проводим через эти две точки прямую, точка пересечения нагрузочной прямой с ВАХ диода и определяет значение тока /ампл~ «50 мА. 85. Хь»628 Ом, ХсЮб Ом. 86. Ка=0,9, Ur„ = 90 в. 87. Коэффициент передачи по переменному

току /Сп= [/н/[Ех, а напряжение 11 схемы определяется делителем напряжения, одним из плеч которого является индуктивное сопротивление XbtoL, а другим - параллельное соединение резистора Rh и емкостного сопротивления ХсРоС, Кпер = 0,053, С/н.пер = 5,3 В. 88. t/H.nep= 12,45 В, t/H.nocT«19,6 в, KiiocT = 0,98, Ктр

0,62, Кпост Спер=1,58. Коэффициент передачи по переменному току iKnep=[/H.nep/f/Ex.nep Определяется делителем напряжения, одним из плеч которого является резистор R, а другим - параллельное соединение резистора /?н и емкостного сопротивления конденсатора Хс = = 1/сйС; коэффициент передачи по постоянному току определяется делителем R-Rb- 89. /Спер=5,1 -10-. 91. /(пер-25.10-6. 93. Ub=30B. 94. Нельзя. 98. т=0,5 с=

= 500 мс. 99. ~}26 В. 102. С=200 мкФ. 104. -4:<0,}/?н.

106. /Сст = 4. 107. /?бал=500 Ом. 108. /ci = 0,03 А. 109. A/cT = iO мА. ПО. Ток стабилитрона увеличится в два раза, входной ток /ех останется неизменным. 111. Рбал

> iklzilOO Ом. 112. /Сет» 10. Принять во вни-

мание, что ДС/вхА/вх/бал- ИЗ. Af/cT = 24 мВ. 114. At/, = 1,23 В. 115. Af;cT/[/ci = 2-10-3. 116. At/i/f/,«0,063. 117. /Сст«26,6. 118. Д[/ст = 0,048 В. 119. /С» 19,4. 120. /Сст.общ=625. 121. Не меньше трех. 122. /?бал=240 Ом, 123. Д/ст=2,5 мА. 124. Ток стабилитрона уменьшился на 2,5 мА. 125. При уменьшении входного напряжения ток стабилитрона уменьшится на Д/ст1?»2,5 мА. При возрастании тока нагрузки ток стабилитрона уменьшится на 2 мА. Изменение тока /ст под действием обоих факторов определяется их алгебраической суммой;

CcT.mta = 3,5 мА. 126. /ст.тах= 13,75 мА. 127. Кст-

•.-yi 1,3. 129. Rn= 1000 Ом. 130. Увеличится в ва раза." 131. 26,3 ВС/ех41,3 В. 132. /?ш=2000 oL 133. /ст=1 А. 141. Wc = 50 мкДж. 143. Гь=0,005 Дк. 144. /тах=1 А. 146. £=10 В. 147. Qkoh=100. 148. р=1000 Ом. 149. Ь=16 Гц, Го=62,5 мс. 150. /о=32 Гц, Го=31,5 мс. 151. L«;0,25 Гн, /"«31,5 Ом. 152. /л160 Гц. 153. Не будет. На частоте 10 Гц полное реактивное сопротивление контура носит индуктивный характер. 154. z=32 Ом. 157. /о«1,6 кГц. 159. Емкость конденсатора необходимо увеличить в два раза. 160. Индуктивность L необходимо увеличить в 2,53 раза. 161. /«19,5 А, r,«123 В, f/c« «3 В. 162. «6,8 А. 163, /=11 А, ь=. с = 550 В. 164. /«2,7 А, [/i=67,5 В, t/c«28,6 В. 165. /=10 А; а) й= = 100 В, ь= с=380 В; б) д=100 В; Ul=Uc-= = 2500 В; в) н=100В; [/i= c = 500 В. 168, fo = 100 кГц. 169, /о==160 кГц, Q=100, 2Д/=1,6 кГц. 170. Нельзя, так как полоса частот, которую может пропустить контур с данными параметрами, составляет 2Д=80 Гц. 173. fo= = 16 кГц. 175. fo=8-102 Гц=0,8 кГц, /?э=0,5-10з Ом = = 0,5 кОм, /с«/ь=1 А. 179. В 1,2 раза. 180. 2Af=2 кГц. 181, /ор=0,5-10-б А=0,5 мА. 182. /Ссб=0,1. 183. гп = 3943,8 Ом. 186. 2Д/=1000 Гц=] кГц. 188. Решение: коэффициент усиления одного каскада /(„1 = 20 Ig/См1 = = 20 дБ. Общий коэффициент усиления Ки= 100 дБ. Число каскадов, которое будет входить в усилитель n=KulKui = b. 189. /„1=46 дБ. 190. /С.-=40 дБ, /Ср = = 20 дБ. 191. Km=60 дБ. 192. вых=20 В. 193. /Ср=100, /Ср = 20 дБ. 194. Рвых=1 Вт. 195. /(„ = 50. 196, /(„=400. 197. Рн=0,25 Вт. 198. Рвых=0,2 Вт. 199. С/вх=0,1 В. 200. /(„ = 21, /(, = 212. 201. Рвых=0,1 Вт. 202. Рвх2= = 200 Ом. Замечание: при решении задачи учесть, что ток и напряжение с выхода предыдущего каскада поступают на вход последующего каскада. 203. £г=0,5 В. Замечание: при решении задачи учесть, что напряжение источника сигнала распределяется между входным сопротивлением каскада и внутренним сопротивлением источника сигнала. 204. /?вх==80 Ом. 205. /7вх= = 2,2 мВ. 206. т] = 70%. 207. Мп=1,6 дБ. 208. Мв=1,12. 209, /(ср=44. 210. /(г=6%. 211. /=/( («с= (1-Ь/(Р) = П. 212. /(=20. 213. вх=0,5 В. 214. С/вых=1,0 В. 215. Ubx= = 0,3 В. 216. [/ос = 0,4 В. 217. /Уос = 0,3 В. 218, /вх=0,2 мА, С/вх=0,5 В, /Сос = 20. 219. а) /7=0,4 В, t/oc = 0,12 В, р=0,1,