|
Главная -> Сборник задач 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 [29] 30 31 32 33 f-1 кГц, б) /(пер=0,76. 313. Кпор=ОД а) /<:°ер = 0,14, б) Кпер = 0,94. 314. Tnl = Cp,(i?r+/?Ex.i*), Тн2 = = {Рвых. э + Rn) Ср2 = (7?к + /?н) Ср2, Тнэ = ClRsW {Гэ + + ТТ}]="--+)- <Р. = 2,5 МКФ, Cp2«i,55 мкФ. 318. /е = 35 кГц. 319. Возникнут, так как /(3=110-0,01 >1. 320. Kmin=l/3=l :0;02 = 50. 323. С« -1,6 нФ, L=16 мкГн. 324. AfreH=l,6 МГц. 325. Ркон.эф = =0,312 Вт. 327. /к=1,42 мГц.329.Для обеспе- 2к ЭКВ чения самовозбуждения контур настраивается таким образом, чтобы его резонансная частота была выше частоты параллельного резонанса fo кварцевого резонатора. При этом частота генерации fr лежит в пределах /к</г</о. 330. Самовозбуждение достигается, если резонансная частота контура ниже частоты параллельного контура. При этом /K</r<fp. 331. /, = 700 Гц. 334. /о=1,6 кГц. 335. Не изменяет, поэтому включается для обеспечения генерации колебаний на частоте fo в цепь положительной обратной связи между двумя усилительными каскадами. 337. а) При замыкании Rk каскад теряет свои усилительные свойства и колебания на выходе схемы срываются; б) при замыкании Ri исчезает отрицательная обратная связь по току, работоспособность схемы сохраняется, хотя и увеличивается влияние элементов схемы на форму кривой генерируемых колебаний. 338. Из условия /СосРо! следует, что минимальный коэффициент усиления операционного усилителя, при котором возникнут незатухающие колебания, /Сое min=/?4 ?3>3. Следовательно, i?4min = 3 кОм. 340. 7=50 мкс, f=20 кГц. 341. Q = 5, /(за11=0,2. 342. f=50 кГц. 343. ф=1 мс. 344. 1ф = = tc = 0,5 с. 345. С/ср=2 В, /ср=1 мА. 346. f/cp=3B, /ср = = 1,5 мА. 347. Среднее значение напряжения не изменится, а /ср уменьшится в два раза. 348. Q = 100. 349. Ри= = 103 Вт=1 кВт. 355. £, = 0, £2=12 В. 359. Uotv=Ucti+, + Uk2, /огр2= -(C/cT2+f/fli), где t/cT - напряжение стабилизации стабилитрона, Уд--падение напряжения на пря-мосмещенном переходе стабилитрона. 360. 1. Для формирования положительных импульсов следует исключить стабилитрон VD2; для формирования отрицательных- стабилитрон VDL 2. Д.ия уменьшения фронта и среза необходимо увеличивать коэффициент усиления = /Coct/Bx=(P2/Pi)[/Bx=l в. Так как [/вых.оу<[/ст, то форма выходного напряжения остается синусоидальной, а амплитуда 1 В; б) [/вых.оу=4 В. Так как [/вых.оу>[/ст, то выходной сигнал ограничивается на уровне Uci = = ±(3,3+0,6) В. 362. а) Выходное напряжение синусоидальной формы с амплитудой [/вых.оу = /Соу[/вх=5В< <t/cT при обрыве цепи R2 резко возрастает и ограничится на уровне ± ([/ст+[/д) = 7,7 В; б) при коротком замыкании стабилитрона VD1 получим одну полуволну синусоидального напряжения с амплитудой 5 В. 363. а) При обрыве цепи R2 выходное напряжение останется ограниченным на уровне 7,7 В, однако фронт и срез сформированного импульсного сигнала уменьшится; б) при коротком замъшании стабилитрона VD] на выходе формируются односторонние отрицательные импульсы с амплитудой t/вых»: [/ст2 (падением напряжения Уд пренебрежем). 364. Конденсатор не пропускает постоянную составляющую входного напряжения, равную его среднему значению. Цепь (рис. 44) называется разделительной (при Tliri), так как потенциал на входе цепи может отличаться от потенциала на выходе. 365. Для выполнения операции дифференцирования с помощью цепи (рис. 44) необходимо выполнить условие r=RC< <:и.Ех- Для разделительной цепи необходимо т>4.вх. 366. Цепь является дифференцирующей, если т= iRi+ -fP)C<W Принимаем т= (Рг+Р)С=0,Ии.вх= = 1 мкс/мс. Чтобы исключить влияние паразитной емкости Спар=10 пФ, принимаем ССпар С= (8-7--=-10)Спар=100 пФ. Определяем сопротивление резистора R из формулы Р = 0,1/и.вх/С-Рг=900 Ом. 367. t/выхЖ «:;7,28 В. При решении задачи учесть, что при скачкообразном изменении входного напряжения цепи конденсатор как бы замыкается накоротко, так как напряжение на нем скачком измениться не может. 368. Точность операции ухудшится, так как увеличится постоянная времени цепи. 369. тэкв= (Рг+Рвх.ос)С1 = 0,573 мкс, где Рвх.ос = =Рос/(1+/Соу)-входное сопротивление операционного усилителя с отрицательной обратной связью. При использовании операционного усилителя точность операции дифференцирования увеличивается в (1+/Соу) раз. 370. РС-цепь является интегрирующей при условии т= {R\\ 11Рн)С>/и.вх. Принимаем т=10и.вх. Сопротивление резистора R выбираем из условия /? = 10Рн, в этом случае можно считать (Р11Рн)«Рн. Тогда т=РнС= 10и.вх, откуда найдем емкость конденсатора 10/и.вх/-Рн= «=0,01 мкФ. 371. При скачкообразном изменении напря- жения на входе цепи конденсатор заряжается, а выходное напряжение изменяется по экспоненциальному закону с постоянной времени г= (Rr-\-R)C, стремясь к уровню Е, т. е. С/вых=£(1-er-t/). В момент времени окончания входного импульса выходное напряжение достигает своего максимального значения С/вьгхт=£(1- -е-*")«0,9 В. 372. Хакв= {Ri+Rt)Cbx.oc=4Q мс, где Свх.ос= (1+/Соу)Сос, Свх-ос - входная емкость операционного усилителя с обратной связью. Точность операции интегрирования при использовании операционного усилителя увеличивается в (1+/Соу) раз, так как Свх= = (1+/Соу)С. 373. Транзистор закрыт, так как С/ех= =/кбо/?б<Спор. 274. Условие насыщения транзистора /б/121этш/кн. Записав /б«£к ?б, IkhEkIRk, получим R6h2is minRK. Транзистор находится в режиме насыщения. 375. /6.min=0,25 мА. 376. Нельзя. Транзистор выйдет из строя. 377. Транзистор останется работоспособным, так как /ктах = /б/121этах</к.д€п. 378. р-п-р. 379. а) Открытый транзистор при Ubx=Ei работает в режиме насыщения, т. е. С/зых=Скэн=0,2 В. Условие режима насыщения /б/г21э „i„ > /к„, /г21э min > выполняется. В режиме отсечки при Ubx=E2 (транзистор закрыт) выходное напряжение С/"вых=£к--/кботах/?к= = 8-0,06=7,94 В. Амплитуда выходного сигнала ДС/еых= = С"еых-С/бых=7,74; б) условие насыщения не выполняется, поэтому при C/ex=£i открытый транзистор работает в активном режиме С/вых = £к-/к/?к = £к-/62iJ?k = = £к- ~ h2iaRu = 6.6 В. При Ubx=E2 транзистор "б работает в режиме отсечки С/"еых~7,94 В. Амплитуда выходного сигнала ЛС/вых = С"вых-Свых = 7,94-6,6 = = 1,34 В. 380. Уменьшится, так как возрастет падение напряжения на резисторе Rk от прохождения сквозного коллекторного тока /кбо при закрытом состоянии транзистора. 381. а) P.o.,:o=EJkb=E.-- =20 мВт; «к б) /потр.з=£к/кбо=50 мкВт. 382. Транзистор выйдет из строя. 383. В начальный момент поступления входного 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 [29] 30 31 32 33 0.0071 |
|